【时间】2025年3月13日（周四）下午14：30 开始

【地点】线下讲座，8B214会议室

【主题】半导体晶圆的先进检测与量测方案

【主讲人介绍】  

    林树培博士，2023年于华中科技大学获理学博士学位，目前在华中科技大学从事博士后研究，研究方向为半导体精密光学检测和量测纳米颗粒探测研究，在Phys. Rev. Lett.、Opt. Lett. 等权威期刊发表SCI论文5篇，获授权发明专利2项，主持国家自然科学基金委青年项目，获中国博士后特别资助和2023年国家资助博士后计划C档。

【内容简介】

    芯片是电子产品的心脏，承载着运算和存储的功能，也是世界各国竞争的重点领域。纳米颗粒残留在硅晶圆表面，会使芯片产生致命缺陷，光学显微方法检测纳米颗粒具有无损、低成本、高通量等优势，但主流方案受限于散斑背景，无法检测到硅晶圆表面直径小于30 nm的颗粒，不能满足先进制程芯片的缺陷检测需求。研究人员猜测散斑可能源于非均匀性照明、光路缺陷、外界杂散光、硅晶圆表面起伏等，但尚无确定性结论。本报告将揭示散斑主要源于硅晶圆基片表面的亚纳米起伏，介绍抑制散斑背景的方法，提供半导体晶圆缺陷检测的新方案，还将介绍利用散斑实现半导体晶圆亚纳米级位移和形变的测量方案。

 

诚挚欢迎广大师生参加。