报告时间：2021年7月8日周四14：30-17:00

报告地点：8B214B

报告题目一：先进多功能光电材料的开发及应用（吕伟副研究员）

报告人简介：吕伟，男，博士，副研究员。博士毕业于中国科学院长春光机所，目前主要研究方向为多功能光电材料的开发，及其在照明显示、医学诊疗等方面的应用研究。

报告简介：光电材料在普通照明，特种照明、广色域显示、量子点显示、激光显示、核医学成像、辐射探测等领域发挥重要作用。如何开发各领域针对性新型光电材料及评价其性能是目前面临的关键难题。本报告将实际应用出发，基于本人工作，讲述多功能光电材料的开发及应用。

报告题目二：助熔剂法生长GaN晶体的研究（吴熙博士）

报告人简介：吴熙，物理与光电工程系博士后。主要从事宽禁带半导体晶体的生长和以及晶体缺陷表征方面的研究工作。

报告简介：随着现代科学技术的不断发展，各种工作系统对微电子器件和光电子器件性能的要求也在不断提高。然而，由于受制于材料本征物理性质的限制，传统Si基器件和GaAs基器件通过结构优化对于性能的提升已经非常有限。因此，寻找新型的半导体材料制作器件变得非常迫切。GaN是新型宽禁带半导体材料的代表之一，凭借其击穿电压高、禁带宽度宽、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优异性质，已经成为制作新一代微电子器件和光电子器件的理想材料，并在武器装备、航空航天、医疗卫生、5G网络通讯、照明、新能源汽车和自动驾驶等领域都具有非常广阔的应用前景。然而，GaN基器件在诸如可靠性、制备工艺、器件性能等领域还有很多科学问题和技术问题亟待解决。其中，高结晶质量GaN衬底的缺乏是阻碍器件发展的一个主要技术瓶颈。Na助熔剂法具有生长条件温和，成本低廉，GaN晶体结晶质量高和晶体生长速度较快的优点，因此具有在工业上实现大尺寸高质量GaN晶体生长的潜质。本报告将从助熔剂法的发展开始，基于本人工作，讲述助熔剂法生长GaN晶体的研究进展。

（一审：李艳霞；二审：任斌；三审：胡耀华）