【时间】2026年9月24日（周四）下午14：30

【地点】线下讲座，8B214会议室（#腾讯会议：697-546-932）

【主题】砷化镓激光划片加工技术研究

【主讲人及介绍】

   蔡顺烁，中国科学院微电子研究所助理研究员，2020年获暨南大学生物医学工程博士学位，2020年8月-2022年8月在北京理工大学从事博士后研究，2022年加入中科院微电子所设备中心；主要从事半导体材料激光微纳加工及系列化设备的研究；主持ZF元器件型号研制项目、科技委1X6重点项目课题和博士后面上项目，参与科技委JCJQ重点项目2项、科技委1X3领域基金3项；以第一作者/通信作者在Advanced Science, Advanced Optical Materials, Science China Information Sciences, Optics Letters, Optics Express等SCI期刊发表论文13篇。

【内容简介】

   砷化镓（GaAs）因光电转换效率高、电子迁移率约为硅的5～6倍，成为集成电路、红外探测器、微波器件及高速数字电路等领域的核心光电子材料。随着芯片制程推进，GaAs晶圆厚度已可降至100 μm以下，但其高脆性使得传统机械划片易产生崩边、微裂纹甚至碎裂，严重制约成品率与封装效率，因此对新型划片设备提出更高性能要求。飞秒激光凭借其超短脉宽和极高峰值功率，可实现“冷加工”效果，热影响区极小，成为解决GaAs晶圆精密划片的理想途径。本报告在阐述光与GaAs相互作用机理的基础上，结合本人对飞秒激光光束整形的研究，重点介绍飞秒激光在GaAs划片加工中的技术实现与应用成果。

诚挚欢迎广大师生参加。